CMOS反相器由一个PMOS管、一个NMOS管、一个输入源Vi和一个直流电源Vcc组成。 具体的真值表如下图所示
Vi10Vo01①当Vi为低电平时,对于下管有Vgs<Vgs(th),NMOS截止; 对于上管有|Vg1s1|>|Vgs(th)|,且|Vg1s1|足够大,PMOS管进入可变电阻区,管压降很小,Vo=Vcc。 ②当Vi为高电平时,对于上管有|Vg1s1|<|Vgs(th)|,PMOS截止; 对于下管有Vgs>Vgs(th),且Vgs足够大,NMOS管进入可变电阻区,管压降很小,Vo=0。
现在探讨在Vi变化时,Vo的变化,对于给定输入Vi,我们可以画出上下两管的输出特性曲线(假设上下两管各参数相同)。首先画出NMOS管输出特性曲线, 然后画出PMOS管输出特性曲线 因为Vs1g1+Vgs=Vcc;Vi=Vgs,Vs1g1=Vcc-Vgs; 同时通过两个MOS管电流相等,Vs1d1+Vds=Vcc; 因此画出PMOS管以Vcc-Vs1d1为横坐标-Id为纵坐标的输出特性曲线(Vs1g1=Vcc-Vgs);画出NMOS管以Vds为横坐标,Id为纵坐标的曲线(Vgs=Vi)。两曲线的交点就是,输出为Vi时两MOS管的工作点,设交点坐标为(A,B) A=Vds=Vo;此时的Vgs就是Vi,最后可以作出Vo-Vi的动态曲线,如下图所示 由图中易知Vgs(th)=2V,Vcc>2Vgs(th) ①0<Vi<2 Vgs<2V ;Vs1g1>>2V;此时上管在可变电阻区,导通,管压降忽略不计,下管截止,输出电压Vo=Vcc ②2<Vi<4 Vgs>2V;Vs1g1>>2V;此时上管仍在可变电阻区,但Vs1g1减小,导通压降略微上升;下管工作于恒流区,导通压降很大;此时输出电压等于Vds(仍为高电平) ③4<Vi<6 此时两管皆处于恒流区,上下管管压降都较大